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产品案例

工厂地址:
广东省东莞市樟木头镇樟洋社区富竹二街8号

办公室地址:

广东省东莞市樟木头镇柏地东城路2号汇达孵化园3楼

销售直线:
0769-86059333(东莞)
0510-85223986(无锡)
 
等离子事业部:
售前咨询:罗先进
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座机:0769-87195860
售后服务:郭乐宝
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座机:0769-86059333-8017
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3C产品行业自动化事业部:
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售后服务:吴小婷
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汽车行业自动化事业部:
售前咨询:吴小婷
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售后服务:侯艺濛
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  • 产品名称: 在线效率检测
  • 产品编号: 610
  • 上架时间: 2016-11-22

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二、EL图像分析

1、隐裂 硅材料的脆度较大,因此在电池生产过程中,很容易产生裂片,裂片分两种,一种是显裂,另一种是隐裂。前者是肉眼可直接观察到,但后者则不行。后者在组制的制作过程中更容易产生碎片等问题,影响产能。通过EL图就可以观测到 由于(100)面的单晶硅片的解理面是(111),因此,单晶电池的隐裂是一般沿着硅片的对角线方向的“X”状图形。

 

2、断栅 印刷不良导致的正面银栅线断开,从图5的EL图中显示为黑线状。这是因为栅线断掉后,从husbar上注入的电流在断栅附近的电流密度较小,致EL发光强度下降。印刷不良导致的正面银栅线断开,从图5的EL图中显示为黑线状。

 

3.烧结缺陷 一般而言,烧结参数没有优化或设备存在问题时,EL图上会显示网纹印。采取顶针式或斜坡式的网带则可有效网带问题,图6右是顶针式烧结炉里出来的电池,途中黑点就是顶针的位置。

 

4、黑心片 直拉单晶硅拉棒系统中的热量传输过程对晶体缺陷的形成与生长起着决定性的作用。提高晶体的温度梯度,能提高晶体的生长速率,但过大热应力极易产生位错。 就是我们一般所说的“黑心”片的EL图。在图中可以清楚地看到清晰的漩涡缺陷,他们是点缺陷的聚集,产生于硅棒生长时期。此种材料缺陷势必导致硅的非平衡少数载流子浓度降低,降低该区域的EL发光强度。

 

5.漏电问题 漏电电池一般指电性能测试时,Irev2值(给电池加反向偏置电压-125V时的电流值)偏大的片子。 第一幅图所示,EL显示的较粗黑线表明该区域没有探测可探测到的光子放出。我们再给电池加泛亚测试其发热情况,结果如图。第二幅图,可见与EL对应区域发热严重。用显微镜观察后分析可知,在电池正面银浆印刷,由于硅片表面存在划伤,浆料进入裂缝的pn结位置;分选的IV测试架12V反压时,直接导致正面pn结烧穿短路。因此,EL测试时,该区域显示为黑色。 需要额外说明的是,很多人认为EL测试时对电池加“反压”,可以观测Irev2值的分布,这是不对的。如图9所示的硅太阳电池的光子发光光谱范围,机理及探测器的适用范围。EL使用的探测器一般为硅的CCDE,它可测量光谱最多到1200nm左右,而加反压下的嗲冰川谷的发热为辐射热,属于远红外(FIR)的范围。因此,硅的CCD不可能测量出电池的发热辐射热,但用其他种类的探测器则可以,如fluke的红外热像仪使用的是氧化钒(VOx)的